به گزارش خبرگزاری مهر، محمدحسین زارع، از محققان این طرح پژوهشی در این باره گفت: در این پژوهش با اعمال روشهای عددی توانستیم شبکه های خیلی بزرگ را مورد مطالعه قرار داده و طرحهای اولیه ای را برای کنترل ویژگی های الکترونی گرافن نظیر باز کردن "گاف" با کنترل هندسه و کاهش دادن آن به نوارهای نانومتری به دست آوریم.
وی با تاکید بر اینکه روشهای لیتوگرافی که منجر به تولید ساختارهای نانومتری می شوند دقت کافی برای نمایش گرافین با دقت آنگستروم ندارند، اظهار داشت: از این رو ساختارهای نانومتری به طور اجتناب ناپذیری مرزهای ناصافی دارند که اثراتی قوی در ویژگی های "ترابرد" نوارهای نانومتری ایجاد می کنند. اما در گرافین دولایه با اعمال میدان الکتریکی عمود به صفحات می توان گاف ایجاد کرد.
زارع با اشاره به نحوه انجام این پژوهش، اظهار داشت: در ابتدا شبکه مورد نظرمان را شبیه سازی کردیم، سپس بی نظمی ها را روی نمونه قرار دادیم و با اجرای سایر مراحل، گذار فلز به عایق را در حضور بی نظمی در شبکه مشاهده کردیم و در نهایت فلز به عایق تبدیل شد.