نانوفیلم اکسید روی با دستگاه پلاسمای کانونی ساخته شد

به گزارش خبرگزاری مهر، به نقل از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، در دهه‌های گذشته نانو ساختارها و لایه‌های نازک اکسید روی به دلیل ویژگی‌های مناسب توجه زیادی را به خود معطوف کرده‌اند. اکسید روی یک گزینه‌ مطلوب برای دستگاه‌های نوری با طول موج کوتاه است.

همچنین ساختارهای مبتنی بر اکسید روی در حوزه‌های مختلف همانند آشکارسازهای «UV» حسگرها، فیلترها و سلول‌های خورشیدی نیز به کار می‌روند. انواع زیادی از روش‌ها برای ساخت فیلم‌های نازک اکسید روی استفاده شده است.

از جمله‌ آن‌ها می‌توان به رسوب لیزر پالسی، رسوب لیزر اتمی، رسوب بخار شیمیایی و سل - ژل اشاره کرد. این پژوهش‌ها به منظور بررسی اثر روش ساخت و عوامل دخیل در آن بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی فیلم‌های نازک اکسیدروی انجام شده است. در این تحقیق، تلاش شده تا تولید فیلم‌ نازک اکسید روی در دمای محیط، با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی «Plasma Focus» مورد ارزیابی قرار گیرد.

محمدتقی حسین نژاد، مجری طرح عنوان کرد: استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی «PF» به منظور رشد لایه‌های نازک، روشی است که به تازگی مورد توجه محققان قرار گرفته است.

وی افزود: این روش بر اساس کندوپاش نانوذرات روی «Zn» و برهمکنش‌های شیمیایی آن‌ها با یون‌های اکسیژن حاصل از فروپاشی پلاسمای داغ اکسیژن است که در دستگاه پلاسمای کانونی تولید می‌شود.

وی با بیان اینکه یکی از ویژگی‌های منحصر به فرد رشد لایه‌های نازک با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی، عدم نیاز به گرم کننده به منظور گرم کردن زیرلایه است، ادامه داد: همچنین رشد لایه با ضخامت دلخواه و چسبندگی قابل توجه در زمان اندک، از دیگر مزایای این روش محسوب می‌شود. در بسیاری از روش‌های دیگر لایه نشانی، این امر جزو مشکلات فرایند رشد لایه محسوب می‌شود.

به گفته وی، در این تحقیق لایه‌های اکسید روی با ضخامت‌های مختلف رشد داده شده‌اند و اثر تغییرات ضخامت بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی این لایه‌ها بررسی شده است.

حسین نژاد اظهار داشت: خواص ذکر شده به کمک روش‌های«XRD، SEM و AFM » مورد ارزیابی قرار گرفتند. همچنین یکی از مهم‌ترین اهداف مجریان این طرح، امکان سنجی رشد لایه‌های اکسید روی با استفاده از این روش بوده است.

به گفته‌ وی، نتایج نشان داده که با استفاده از این روش می‌توان لایه‌های نازک اکسید روی را با ضخامت دلخواه بر روی سطح رشد داد. همچنین بررسی‌های ساختاری و ظاهری نمونه‌ها نیز نشانگر کیفیت مطلوب آن‌ها بود.

وی با بیان اینکه چسبندگی بسیار بالای لایه‌ها به علت انرژی بسیار بالای یون‌ها در حین فرایند لایه نشانی رخ داده که با تغییر در تعداد شات‌ها، خواص لایه‌ها متفاوت می‌شود، افزود: این در حالی است که آزمون‌های مرتبط با خواص نوری و الکتریکی لایه نشان می‌دهد که با افزایش تعداد شات‌ها، رسانندگی الکتریکی و پهنای انرژی دستخوش تغییرات چشمگیری می‌شوند.

حسین نژاد خاطرنشان کرد: ازآنجا که در این روش ذرات یونی و اتمی با انرژی بسیار بالایی با سطح زیرلایه برخورد می‌کنند، می‌توان از آن برای برخی محصولات میکروالکترونیک که نیازمند کاشت یون با انرژی و عمق نفوذ بالایی هستند استفاده کرد. همچنین این روش به دلیل کندوپاش با حجم زیاد و زمان بسیار اندک می‌تواند به منظور رشد لایه‌های ضخیم نیز به کار رود.

این تحقیقات حاصل همکاری محمدتقی حسین نژاد، دانشجوی دکترای فیزیک پلاسما، مرضیه شیرازی، دانشجوی دکترای مهندسی فناوری نانو، پروفسور محمود قرآن نویس، دکتر محمدرضا حنطه زاده و دکتر الهام دارابی، اعضای هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، است. نتایج این کار در مجله‌ Ceramics International (جلد ۴۱، سال ۲۰۱۵، صفحات ۱۵۰۲۴ تا ۱۵۰۳۳) به چاپ رسیده است.